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推荐中科院研发新型相变材料：突破读写存储速度极限

聂翠蓉科技日报北京11月15日电，据《科学》杂志官网14日报道，中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员饶峰和同事研发出一种全新的相变材料——钪锑碲合金，可在不到1纳秒内实现多 [更多]
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