第三代半导体弯道超车 5年后碳化硅市场规模超160亿

（原标题：第三代半导体弯道超车，五年后碳化硅市场规模将超160亿）

记者 |徐宁

图片来源：视觉中国

“相较于第一、二代半导体，第三代半导体材料处于发展初期。国内企业和国际巨头基本处于同一起跑线。”

在10月26日举办的中国松山湖新材料高峰论坛上，河北同光晶体有限公司副总经理王巍表示。

王巍指出，中国拥有第三代半导体材料最大的应用市场，且产业链齐备，可以实现自主可控，中国第三代半导体有望实现弯道超车。

安信证券电子首席分析师贾顺鹤也在该会上表示，国产化替代和产业升级双驱动，第三代半导体将迎来下一个产业浪潮。

第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）元素等单质半导体材料；第二代半导体材料主要是指砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）等材料，主要应用于高速功率放大器和LED中。

第三代半导体主要是指碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料。相比于第一、二代半导体，第三代半导体具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率等特点。它在新能源车、光伏风电、不间断电源、家电工控等领域有广阔的应用前景。

据山东天岳先进科技股份有限公司市场与销售副总李宛瞳预计，碳化硅市场将于2025年达到25亿美元（约合人民币164.38亿元）的市场规模。

贾顺鹤表示，新能源汽车行业是碳化硅市场最大的驱动力。到2025年，新能源汽车与充电桩领域的碳化硅市场将达到17.78亿美元（约合人民币116.81亿元），约占碳化硅总市场规模的七成。

贾顺鹤指出，受中美贸易摩擦影响，中国半导体材料的本土产业链加快了布局。

贾顺鹤认为，国产碳化硅与海外厂商的研究进度相差不大，通过产业链上厂商的战略合作，有机会实现超车。

据金融界上市公司研究院报告，目前全球碳化硅的产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立的态势。美国的科锐、德国的英飞凌、日本的罗姆这三家公司，占据了全球碳化硅市场约七成份额。

北京天科合达半导体股份有限公司常务副总经理彭同华也在会上表示，中国已建立起设备、衬底、外延、设计、制造、封测和应用等较为完整的碳化硅产业链，有利于提升国有产品的竞争力。

国务院于2015年5月印发的《中国制造2025》，也对第三代半导体做出了目标规划。

《中国制造2025》提出，到2025年，先进半导体材料实现在5G通信、高效能源管理中的国产化率达到50%；在新能源汽车、消费电子中实现规模应用，在通用照明市场渗透率达到80%以上。

在上述背景下，国内第三代半导体投资热度高居不下。据彭同华不完全统计，今年前三季度，中国新签约的第三代半导体项目共20余项，正式开工12项。

粤开证券研报指出，第三代半导体还是“十四五”时期的重要发展方向。据国家新材料产业发展专家咨询委员会委员介绍，国家2030计划和“十四五”国家研发计划中，已明确第三代半导体是重要发展方向。

工信部原材料工业司副司长、一级巡视员余薇在上述论坛上表示，“十四五”期间，中国将培育新材料产业发展的长板强项，前瞻布局一批新材料，以激发各类市场主体活力为出发点，构建支撑新材料产业创新发展的生态体系，进一步提升中国新材料产业创新发展的总体水平。

中国科学院院士、松山湖材料实验室理事长王恩哥指出，“十四五”规划建设已明确提出要重点发展新材料等九大战略新兴产业，未来的五年必将是新材料大变革、大发展的五年。

国家开发投资集团有限公司党组成员、副总经理钟国东也在会上表示，中国新材料市场空间巨大。国内新材料产值已从2011年的0.8万亿元，增长至2019年的4.5万亿元，年均复合增速达到21.2%。

目前A股市场上新材料行业企业已有478家，约占总数的两成。2017-2018年，新材料产业的投资数量和金额分别为115起和158.71亿元，均创下历史新高。

钟国东预计：“今年国内新材料产值将达到6万亿元，同比增速达30%。”