院士:国内集成电路光刻技术落后国外15-20年

2019-09-17 15:26:31 来源: 集微网 举报
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(原标题:中科院:光刻技术是国内外集成电路领域差距最大的环节)

集微网消息(文/Oliver),9月17日,2019中国集成电路设计大会在青岛市崂山区正式召开, 中科院院士刘明在演讲中指出,国内的光刻技术与国外技术差距仍为15~20年,是集成电路领域中差距最大的环节。

刘明谈到了国内集成电路的几项基础技术。关于光刻胶技术,刘明表示,我国在EUV光源、多层膜、掩膜、光刻胶、超光滑抛光技术等方面取得了一些研究进展。但总的来说,国内的光刻技术与国外技术差距仍为15~20年,是集成电路领域中差距最大的环节。

在逻辑器件方面,刘明指出,国内在低功耗新原理逻辑器件的机理、模型、材料、结构和集成技术上开展了前瞻性研究。国内优势企业、高校和研究所在硅基逻辑器件的成套先导技术上开展了系统研究,为产业发展提供了技术知识产权的帮助。

另外,刘明还表示,中国在新型存储器前沿和关键技术等方面均开展了系统研究;学术界与产业界合作紧密,开发了RRAM、PRAM和MRAM的大规模集成工艺。

最后,刘明强调,IC的快速发展是信息化的核心和基础,器件持续微缩的More than Moore路线,我国很难实现超越,但这是创新的基础,必须夯实,没有弯道可走。(校对/holly)

王凤枝 本文来源:集微网 责任编辑:王凤枝_NT2541
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