联芯科技将于明年二季度推出40纳米LTE芯片

2011-10-25 12:02:28 来源: 网易科技报道
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网易科技讯 10月25日消息,大唐电信集团下属全资子公司联芯科技在参加由国际电信联盟(ITU)主办的“2011年世界电信展”期间透露,该公司将于2012年第二季度推出40纳米LTE芯片。

据了解,联芯科技即将推出的40纳米LTE芯片可支持TD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GGE多模自动切换,支持下行150兆/秒,上行50兆/秒的数据吞吐率。在下一阶段,联芯科技的芯片产品还将向28纳米或更高工艺演进。

在“2011年世界电信展”期间,联芯科技展示了覆盖TD-LTE双模终端、TD智能终端等多个领域的自研芯片及解决方案产品。其中,DTivy L1760 TD-LTE/TD-HSPA双模终端解决方案,是目前业内首款TD-LTE/TD-HSPA双模基带处理器芯片,目前采用65纳米工艺。据悉,基于该芯片及方案的数据卡产品正在参加工信部和中移动的LTE规模试验测试。

在此之前,另一家国内芯片厂商展讯通信的董事长兼CEO李力游透露,展讯有望在今年年底前推出基于40纳米技术的LTE芯片。据悉,展讯已于2011年1月推出全球首款采用了40纳米技术的商用TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片。(陈敏)

叶威 本文来源:网易科技报道 责任编辑:王晓易_NE0011
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