三星与瑞萨科技就半导体专利官司达成和解

网易科技讯 5月3日消息，三星电子与日本瑞萨科技(RENEZ)互控对方侵犯半导体专利的官司达成和解。

据了解，双方已向德拉瓦州威灵顿联邦法院及美国国际贸易委员会(ITC)办理协议通知书。法院文件透露，协议是在在4月25日达成。和解财务条款并未予以公开。

全球首大未上市晶片制造商瑞萨科技与三星电子互控对方侵犯DRAM(动态随机存取记忆体)晶片专利，并分别寻求禁止对方晶片外销美国。尽管价格直直落，DRAM需求依然强劲。

日本次大晶片制造商瑞萨科技于2007年1月在ITC与德拉瓦州首度提起诉愿，三星同年5月在ITC反控瑞萨科技侵权。

总部位在东京的瑞萨科技是日本三菱电机(MitsubishiElectricJP-6503)与日立制作所(HitachiLtdJP-JP6501)旗下合资事业，记忆体晶片占其事业比重将近10%，另外，瑞萨科技还生产手机用晶片。东芝(ToshibaCorp.JP-6502)则是日本首大晶片制造商。

三星电子同时也是亚洲首大平面萤幕与手机制造商。